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Semiconduttori elettronici

Immagineparte #DescrizionefabbricanteDi riservaRFQ
qualità AT25XE041B-SSHN-T fabbrica

AT25XE041B-SSHN-T

IC FLASH 4M SPI 85MHZ 8SOIC
Tecnologie di Adesto
qualità W29N01GVSIAA fabbrica

W29N01GVSIAA

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP
Winbond Electronics
qualità W97BH2KBVX2E fabbrica

W97BH2KBVX2E

IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA
Winbond Electronics
qualità BR25S320FVM-WTR fabbrica

BR25S320FVM-WTR

IC EEPROM 32K SPI 20MHZ 8MSOP
ROHM Semiconductor
qualità EDB8164B4PR-1D-F-D fabbrica

EDB8164B4PR-1D-F-D

IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA
Tecnologia Micron
qualità MT2M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4 fabbrica

MT2M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4

IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA
Tecnologia Micron
qualità MT48LC32M8A2FB-75:D TR fabbrica

MT48LC32M8A2FB-75:D TR

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA
Tecnologia Micron
qualità W978H2KBVX2E fabbrica

W978H2KBVX2E

IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA
Winbond Electronics
qualità W25Q32FVSFIG fabbrica

W25Q32FVSFIG

IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC
Winbond Electronics
qualità MTFC16GLWDQ-4M AIT Z TR fabbrica

MTFC16GLWDQ-4M AIT Z TR

IC FLASH 128G MMC 100LBGA
Tecnologia Micron
qualità MT2F2F2F2F2 fabbrica

MT2F2F2F2F2

IC FLASH MLC 64G 8GX8
Tecnologia Micron
qualità MT46V128M4FN-75Z: fabbrica

MT46V128M4FN-75Z:

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
Tecnologia Micron
qualità W25Q256FVFJF fabbrica

W25Q256FVFJF

IC FLASH MEMORY 256MB
Winbond Electronics
qualità MX25U3235FZBI-10G fabbrica

MX25U3235FZBI-10G

IC FLASH 32MBIT
MXIC, Macronix.
qualità PC28F00AP30TFA fabbrica

PC28F00AP30TFA

IC FLASH 1G PARALLEL 64EASYBGA
Tecnologia Micron
qualità W631GU6MB11I fabbrica

W631GU6MB11I

IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96WBGA
Winbond Electronics
qualità MX29LV400CBTI-55Q fabbrica

MX29LV400CBTI-55Q

IC FLASH 4M PARALLEL 48TSOP
MXIC, Macronix.
qualità MT4117M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2 fabbrica

MT4117M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2

IC DRAM 128M PARALLEL 60FBGA
Tecnologia Micron
qualità BR24C02-10TU-1.8 fabbrica

BR24C02-10TU-1.8

IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8TSSOP
ROHM Semiconductor
qualità MT4117M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2 fabbrica

MT4117M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA
Tecnologia Micron
qualità MT4M4M4M4M4M4M4M4M4 fabbrica

MT4M4M4M4M4M4M4M4M4

IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA
Tecnologia Micron
qualità W25Q32DWSFIG TR fabbrica

W25Q32DWSFIG TR

IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC
Winbond Electronics
qualità W631GU8MB15ITR fabbrica

W631GU8MB15ITR

IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA
Winbond Electronics
qualità MT29F32G08CBADAWP:D fabbrica

MT29F32G08CBADAWP:D

IC FLASH 32G PARALLEL 48TSOP
Tecnologia Micron
qualità MT420M8B:M TR fabbrica

MT420M8B:M TR

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP
Tecnologia Micron
qualità MT28GU256AAA1EGC-0SIT fabbrica

MT28GU256AAA1EGC-0SIT

IC FLASH 256M PARALLEL 64TBGA
Tecnologia Micron
qualità M58LR128KT85ZB5E fabbrica

M58LR128KT85ZB5E

IC FLASH 128M PARALLEL 56VFBGA
Tecnologia Micron
qualità MT4A2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B fabbrica

MT4A2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B

IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA
Tecnologia Micron
qualità MT4117M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M412M411M412M412M412M412M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M4 fabbrica

MT4117M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M412M411M412M412M412M412M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M4

IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA
Tecnologia Micron
qualità W957D6HBCX7I TR fabbrica

W957D6HBCX7I TR

IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
Winbond Electronics
qualità MX29LV800CTMC-70G fabbrica

MX29LV800CTMC-70G

IC FLASH 8M PARALLEL 44SOP
MXIC, Macronix.
qualità MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y TR fabbrica

MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y TR

IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ
Tecnologia Micron
qualità MT4F4G01METAL-IT:G TR fabbrica

MT4F4G01METAL-IT:G TR

IC FLASH 4G SPI SOIC
Tecnologia Micron
qualità MT41K512M16HA-125:ATR fabbrica

MT41K512M16HA-125:ATR

IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA
Tecnologia Micron
qualità MT41K256M8DA-15E:M fabbrica

MT41K256M8DA-15E:M

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA
Tecnologia Micron
qualità MT420M8B L:M fabbrica

MT420M8B L:M

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP
Tecnologia Micron
qualità BU9832GUL-WE2 fabbrica

BU9832GUL-WE2

IC EEPROM 8K SPI 5MHZ 8VCSP50L2
ROHM Semiconductor
qualità MT47H128M8CF-25:H fabbrica

MT47H128M8CF-25:H

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
Tecnologia Micron
qualità AT45DQ321-MWHFHK-T fabbrica

AT45DQ321-MWHFHK-T

IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8VDFN
Tecnologie di Adesto
qualità AT45DQ161-SSHF-B fabbrica

AT45DQ161-SSHF-B

IC FLASH 16M SPI 85MHZ 8SOIC
Tecnologie di Adesto
qualità MT411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M415M412M415M416M416M416M416M4 fabbrica

MT411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M412M415M412M415M416M416M416M416M4

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP
Tecnologia Micron
qualità W9464G6JH-5I fabbrica

W9464G6JH-5I

IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II
Winbond Electronics
qualità EDBA164B2PF-1D-F-R TR fabbrica

EDBA164B2PF-1D-F-R TR

IC DRAM 16G PARALLEL 533MHZ
Tecnologia Micron
qualità MT411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M416M411M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M4 fabbrica

MT411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M416M411M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M4

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
Tecnologia Micron
qualità W25Q128FWEIG TR fabbrica

W25Q128FWEIG TR

IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON
Winbond Electronics
qualità MT2F2G01AAAEDH4-ITX:E fabbrica

MT2F2G01AAAEDH4-ITX:E

IC FLASH 2G SPI 63VFBGA
Tecnologia Micron
qualità MT2comunicazione fabbrica

MT2comunicazione

IC FLASH 128M SPI 24TPBGA
Tecnologia Micron
qualità W25Q16FWUXIE TR fabbrica

W25Q16FWUXIE TR

IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8USON
Winbond Electronics
qualità MTFC128GUA-WT fabbrica

MTFC128GUA-WT

IC FLASH 1T MMC
Tecnologia Micron
qualità MT2comunicazione fabbrica

MT2comunicazione

IC FLASH 128M SPI 24TPBGA
Tecnologia Micron
440 441 442 443 444