BFP420H6327XTSA1 Infineon NPN Transistor RF a silicio

Numero della parte: BFP420H6327XTSA1

Visualizzazione del prodotto:IlBFP420H6327XTSA1è un dispositivo ad alte prestazioniTransistor RF NPNQuesto componente è progettato per applicazioni che richiedono bassi livelli di rumore, elevato guadagno e prestazioni ad alta velocità in confezioni compatte.

Caratteristiche chiave:

1. Tipo: Transistor RF NPN
2. Frequenza di transizione (ft): 25 GHz
3. Figura del rumore (NF): 00,75 dB a 2 GHz
4. Guadagno (Gmax): 21 dB a 1,8 GHz
5. Voltaggio collettore-emettitore (Vce): 2V
6. Corrente del collettore (Ic): 20 mA
7. Tipo di imballaggio: SOT-343
8. Dissipazione di potenza (Ptot): 150 mW
9. Intervallo di temperatura di funzionamento: -65°C a +150°C
10. Rispetto: Compatibilità RoHS

Campi di applicazione:

• Amplificatori a basso rumore:Ideale per l'uso in circuiti di amplificatori a basso rumore a causa del suo basso numero di rumori.
• Oscillatori ad alta frequenza:Adatto per applicazioni di oscillatori ad alta frequenza nei sistemi di comunicazione.
• Amplificatori RF:Utilizzato in circuiti amplificatori RF per amplificare il segnale.
• Telecomunicazioni:Fornisce prestazioni affidabili nei dispositivi e nei sistemi di telecomunicazione.
• Apparecchiature di prova e misura:Garantisce misure precise e accurate nelle apparecchiature di prova.

Installazione e utilizzo:

IlBFP420H6327XTSA1Il pacchetto SOT-343 consente il montaggio su circuiti stampati (PCB) con una tecnologia di montaggio a superficie compatta (SMT).Per ottimizzare le prestazioni e l'affidabilità è essenziale una corretta gestione e installazione.

Motivi per scegliere BFP420H6327XTSA1:

Scegliere laBFP420H6327XTSA1si assicura che si utilizza untransistor RF NPN di alta qualitàconeccellenti prestazioni e affidabilitàQuesto componente migliorerà l'efficienza e la funzionalità dei vostri sistemi elettronici, fornendobasso rumore,elevato guadagno, eprestazioni ad alta velocità.

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