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IRF7401TRPBF INFINEON N-Channel MOSFET SO-8 20V 5.7A bassa resistenza, elevata gestione della corrente e commutazione efficiente

fabbricante:
IR / Infineon
Descrizione:
IRF7401TRPBF N-Channel MOSFET SO-8 20V 5.7A
Categoria:
Semiconduttori elettronici
In-azione:
1000000
IRF7401TRPBF.PDF
Specifiche
Tipo:
MOSFET di N-Manica
Vds (tensione della fonte di scarico):
20V
Rds ((on) (On-resistance):
0.022Ω @ 4,5V
Id (corrente di scarico continua):
5.7A
Vgs(th) (tensione di soglia del cancello):
1V a 3V
Qg (Totale della tariffa di accesso):
9.7nC @ 4,5V
Tipo di pacchetto:
Montaggio superficiale, SO-8
Intervallo operativo di temperatura::
-55°C a +150°C
Dissipazione del potere:
2.5W
Rispetto:
Conformità Rohs
Introduzione

Visualizzazione del prodotto

L'IRF7401TRPBF è unMOSFET a canale NConosciuto per la sua bassa resistenza e la sua elevata capacità di gestione della corrente, questo MOSFET è ideale per la gestione dell'energia,commutazione del carico e conversione DC-DC nei sistemi elettronici.

Caratteristiche chiave

  • Basso livello di resistenza (Rds ((on)):0.022Ωa 4,5 V, garantendo perdite di potenza minime e elevata efficienza.
  • Voltaggio della sorgente di scarico elevato (Vds):20V, adatto a una vasta gamma di applicazioni a bassa tensione.
  • Corrente di scarico continua elevata (Id):5.7A, fornendo la capacità di gestire carichi di corrente significativi.
  • Voltaggio di soglia di ingresso basso (Vgs(th)):1V a 3V, che consente un controllo facile e un cambio rapido.
  • Cargo totale della porta (Qg):9.7nC a 4,5 V, consentendo una commutazione efficiente con una bassa potenza di azionamento del cancello.
  • Confezione compatta:SO-8Il sistema di montaggio a superficie, che facilita la facile integrazione in progetti compatti e con spazio limitato.
  • Ampia gamma di temperature di funzionamento:-55°C a +150°C, garantendo prestazioni affidabili in diverse condizioni ambientali.
  • Distribuzione di grande potenza:2.5W, che consente al dispositivo di gestire carichi di potenza considerevoli senza surriscaldamento.
  • Compatibilità RoHS: Risponde alle normative ambientali, rendendolo idoneo ad essere utilizzato in progetti ecologici.

Specifiche tecniche

  • Tipo: MOSFET a canale N
  • Vds (tensione della fonte di scarico): 20V
  • Rds ((on) (On-resistance): 0,022Ω @ 4,5V
  • Id (corrente di scarico continua): 5.7A
  • Vgs(th) (tensione di soglia del cancello): da 1V a 3V
  • Qg (Totale della tariffa di accesso): 9,7nC @ 4,5V
  • Tipo di pacchetto: Superficie montata, SO-8
  • Intervallo di temperatura di funzionamento: -55°C a +150°C
  • Dissipazione del potere: 2,5 W
  • Rispetto: Conforme alla RoHS

Campi di applicazione

  • Gestione dell'energia: Ideale per l'uso in circuiti di gestione dell'energia, garantendo una distribuzione e un controllo efficienti dell'energia.
  • Cambiamento di carico: adatto per la commutazione di carichi in varie applicazioni elettroniche, compresi gli apparecchi elettronici di consumo e le apparecchiature industriali.
  • Conversione CC-CC: Migliora l'efficienza e l'affidabilità dei convertitori DC-DC fornendo una bassa resistenza e una commutazione rapida.
  • Dispositivi portatili: Perfetto per l'integrazione in dispositivi elettronici portatili, offrendo elevate prestazioni in un pacchetto compatto.
  • Elettronica automobilistica: Garantisce un funzionamento affidabile nelle applicazioni automobilistiche, anche in ambienti difficili.

Installazione e utilizzo

L'IRF7401TRPBF è progettato per la tecnologia di montaggio superficiale (SMT), che lo rende facile da installare suDischi di circuiti stampati (PCB)La gestione e il posizionamento adeguati sono essenziali per ottenere prestazioni e affidabilità ottimali.

Motivi per comprare

La scelta dell'IRF7401TRPBF garantisce di investire in unMOSFET a canale N di alta qualitàconbassa resistenza, elevata gestione della corrente e commutazione efficienteQuesto componente migliorerà le prestazioni e l'affidabilità dei vostri circuiti elettronici, fornendoprestazioni durevoli ed efficienti.

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