NPT1012B
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fabbricante:
MACOM
Descrizione:
Transistor RF JFET DC-4.0GHz P1dB 43dBm Guadagno 13dB GaN
Categoria:
Semiconduttori elettronici
Specifiche
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN Si
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
Screw
Gain ::
13 dB
Transistor Type ::
HEMT
Pd - Power Dissipation ::
44 W
Temperatura massima di funzionamento::
+ 200 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
100 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
4 mA
Vgs - Tensione di rottura della porta di alimentazione::
3 V
Manufacturer ::
MACOM
Introduzione
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| Immagine | parte # | Descrizione | |
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