QPD2795
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fabbricante:
Qorvo
Descrizione:
RF JFET Transistors 2.5-2.7GHz 360W 48V Gain 22dB GaN
Categoria:
Semiconduttori elettronici
Specifiche
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
22 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
364 W
Package / Case ::
NI780-2
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
48 V
Packaging ::
Waffle
Maximum Drain Gate Voltage ::
55 V
Id - Continuous Drain Current ::
360 mA
Pd - Power Dissipation ::
83.5 W
Manufacturer ::
Qorvo
Introduzione
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