TGF2025
Specifiche
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 15 V
Technology ::
GaAs
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
14 dB
Transistor Type ::
pHEMT
Pd - Power Dissipation ::
0.89 W
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
8 V
Packaging ::
Gel Pack
Maximum Drain Gate Voltage ::
12 V
Id - Continuous Drain Current ::
81 mA
Manufacturer ::
Qorvo
Introduzione
Il TGF2025,di Qorvo,è un transistor RF JFET.Quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale,che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattateci tramite la chat online o inviateci un preventivo!
Invii il RFQ
Di riserva:
MOQ: