T1G2028536-FL
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fabbricante:
Qorvo
Descrizione:
RF JFET Transistors DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
Categoria:
Semiconduttori elettronici
Specifiche
Polarità del transistor::
Canale N
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
20.8 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
260 W
Pd - Power Dissipation ::
288 W
Maximum Operating Temperature ::
+ 275 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
36 V
Packaging ::
Tray
Maximum Drain Gate Voltage ::
48 V
Id - Continuous Drain Current ::
24 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
145 V
Manufacturer ::
Qorvo
Introduzione
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