QPD2730
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fabbricante:
Qorvo
Descrizione:
RF JFET Transistors 2.575-2.635GHz 48V 110/220 Watt GaN
Categoria:
Semiconduttori elettronici
Specifiche
Transistor Polarity ::
N-Channel
Tecnologia::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Stile di montaggio::
SMD/SMT
Gain ::
16 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
36 W
Package / Case ::
NI780-4
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
48 V
Packaging ::
Waffle
Maximum Drain Gate Voltage ::
55 V
Id - Continuous Drain Current ::
210 mA
Pd - Power Dissipation ::
18.6 W
Manufacturer ::
Qorvo
Introduzione
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