TGF2819-FS
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fabbricante:
Qorvo
Descrizione:
RF JFET Transistors DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz
Categoria:
Semiconduttori elettronici
Specifiche
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
14 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
100 W
Pd - Power Dissipation ::
86 W
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
32 V
Packaging ::
Tray
Maximum Drain Gate Voltage ::
145 V
Id - Continuous Drain Current ::
7.32 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 2.9 V
Manufacturer ::
Qorvo
Introduzione
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MOQ: