TGF2979-SM
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fabbricante:
Qorvo
Descrizione:
RF JFET Transistors 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
Categoria:
Semiconduttori elettronici
Specifiche
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
11 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
22 W
Package / Case ::
QFN-20
Maximum Operating Temperature ::
+ 225 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
32 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
1.8 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 2.7 V
Palladio - dissipazione di potere::
49 W
Manufacturer ::
Qorvo
Introduzione
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