QPD1000
Specifiche
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
19 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
24 W
Package / Case ::
QFN-8
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
28 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
817 mA
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
100 V
Pd - Power Dissipation ::
28.8 W
Manufacturer ::
Qorvo
Introduzione
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