QPD1008L
![qualità [#varpname#] fabbrica](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabbricante:
Qorvo
Descrizione:
RF JFET Transistors DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
Categoria:
Semiconduttori elettronici
Specifiche
Polarità del transistor::
Canale N
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
Screw
Guadagno::
17.5 dB
Transistor Type ::
HEMT
Potenza di uscita::
162 W
Package / Case ::
NI-360
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
50 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
4 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
145 V
Pd - Power Dissipation ::
127 W
Manufacturer ::
Qorvo
Introduzione
Il QPD1008L, di Qorvo, è un transistor RF JFET. Quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale, che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattateci tramite la chat online o inviateci un preventivo!
Invii il RFQ
Di riserva:
MOQ: