T1G6001032-SM
Specifiche
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Categoria di prodotto::
Transistori RF JFET
Mounting Style ::
SMD/SMT
Guadagno::
dB 19
Transistor Type ::
HEMT
Pd - Power Dissipation ::
16 W
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
32 V
Packaging ::
Tray
Maximum Drain Gate Voltage ::
- 2.9 V
Id - Continuous Drain Current ::
1.2 A
Manufacturer ::
Qorvo
Introduzione
Il T1G6001032-SM,di Qorvo,è un transistor RF JFET.Quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale,che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattateci tramite la chat online o inviateci un preventivo!
Invii il RFQ
Di riserva:
MOQ: