MMFBJ211
Specifiche
Polarità del transistor::
Canale N
Technology ::
Si
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Tipo di transistor::
JFET
Pd - Power Dissipation ::
225 mW
Confezione / Valigia::
SOT-23
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Packaging ::
Reel
Maximum Drain Gate Voltage ::
25 V
Id - Continuous Drain Current ::
20 mA
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 25 V
Manufacturer ::
Fairchild Semiconductor
Introduzione
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