TGF2018
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fabbricante:
Qorvo
Descrizione:
RF JFET Transistors DC-20GHz Gain 14dB NF 1dB P1dB 22dBm
Categoria:
Semiconduttori elettronici
Specifiche
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 15 V
Tecnologia::
Gaas
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
14 dB
Tipo di transistor::
pHEMT
Pd - Power Dissipation ::
0.64 W
Temperatura massima di funzionamento::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
8 V
Packaging ::
Gel Pack
Maximum Drain Gate Voltage ::
12 V
Id - Continuous Drain Current ::
58 mA
Manufacturer ::
Qorvo
Introduzione
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