QPD1003
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fabbricante:
Qorvo
Descrizione:
Transistor RF JFET da 1,2-1,4 GHz 500W 50V SSG 20dB GaN
Categoria:
Semiconduttori elettronici
Specifiche
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
19.9 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
540 W
Package / Case ::
RF-565
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - Voltaggio di rottura della fonte di scarico::
50 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
15 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
145 V
Palladio - dissipazione di potere::
370 W
Manufacturer ::
Qorvo
Introduzione
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