T1G4012036-FS
Specifiche
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Categoria di prodotto::
Transistori RF JFET
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
18.4 dB
Transistor Type ::
HEMT
Palladio - dissipazione di potere::
117 W
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
36 V
Imballaggio::
Scaffale
Maximum Drain Gate Voltage ::
- 2.9 V
Id - Continuous Drain Current ::
12 A
Manufacturer ::
Qorvo
Introduzione
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