NPT2022
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fabbricante:
MACOM
Descrizione:
RF JFET Transistors DC-2.0GHz 100W Gain 20dB GaN HEMT
Categoria:
Semiconduttori elettronici
Specifiche
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN Si
Categoria di prodotto::
Transistori RF JFET
Mounting Style ::
Screw
Guadagno::
dB 21
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
100 W
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
160 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
24 mA
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
3 V
Manufacturer ::
MACOM
Introduzione
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| Immagine | parte # | Descrizione | |
|---|---|---|---|
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