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fabbricante:
MACOM
Descrizione:
RF JFET Transistors DC-4 GHz Gain 13.5dB GaN SiC
Categoria:
Semiconduttori elettronici
Specifiche
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
13.5 dB
Tipo di transistor::
HEMT
Output Power ::
5 W
Package / Case ::
SOT89-3
Maximum Operating Temperature ::
+ 95 C
Vds - Voltaggio di rottura della fonte di scarico::
50 V
Packaging ::
Reel
Id - Corrente di scarico continua::
0,3 A
Pd - Power Dissipation ::
12 W
Manufacturer ::
MACOM
Introduzione
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| Immagine | parte # | Descrizione | |
|---|---|---|---|
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