A3G26H502W17SR3
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fabbricante:
NXP USA Inc.
Descrizione:
RF Power Discrete Transistors
Categoria:
Semiconduttori elettronici
Specifiche
Product Category ::
RF Amplifier
Gain (dB) ::
13.2
Avg Power (W) ::
80
Frequency Min (GHz) ::
2.496
Process ::
GaN
Frequency Max (GHz) ::
2.69
Manufacturer ::
NXP USA Inc.
Introduzione
L'A3G26H502W17SR3, di NXP USA Inc., è un amplificatore RF. Ciò che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale, che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattateci tramite la chat online o inviateci un preventivo!
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