A3T19H455W23SR6
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fabbricante:
NXP USA Inc.
Descrizione:
RF Power Discrete Transistors
Categoria:
Semiconduttori elettronici
Specifiche
Product Category ::
RF Amplifier
Gain (dB) ::
16.4
Avg Power (W) ::
81
Frequency Min (GHz) ::
1.93
Process ::
LDMOS
Frequency Max (GHz) ::
1.99
Manufacturer ::
NXP USA Inc.
Introduzione
L'A3T19H455W23SR6, di NXP USA Inc., è un amplificatore RF. Ciò che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale, che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattateci tramite la chat online o inviateci un preventivo!
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