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MRFE6VP6600GNR3

fabbricante:
NXP Semiconductors
Descrizione:
RF Power Discrete Transistors
Categoria:
Semiconduttori elettronici
Specifiche
Product Category ::
RF Amplifier
Type ::
RF Power Discrete Transistors
Gain (dB) ::
24
Potenza di uscita (W)::
600
Frequency Min (GHz) ::
0.0018
Process ::
LDMOS
Frequency Max (GHz) ::
0.6
Produttore::
Semiconduttori NXP
Introduzione
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