MRFE6VP100HSR5

fabbricante:
NXP Semiconductors
Descrizione:
RF Power Discrete Transistors
Categoria:
Semiconduttori elettronici
Specifiche
Product Category ::
RF Amplifier
Type ::
RF Power Discrete Transistors
Gain (dB) ::
27.2
Output Power (W) ::
100
Frequency Min (GHz) ::
0.0018
Process ::
LDMOS
Frequenza massima (GHz)::
2
Manufacturer ::
NXP Semiconductors
Introduzione
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