ART2K0FEGJ
![qualità [#varpname#] fabbrica](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabbricante:
Ampleon USA Inc.
Descrizione:
RF Power Discrete Transistors
Categoria:
Semiconduttori elettronici
Specifiche
Categoria di prodotto::
Amplificatore RF
Type ::
RF Power Discrete Transistors
Guadagno (dB)::
28,4
Output Power (W) ::
2000
Frequency Min (GHz) ::
0.001
Process ::
LDMOS
Frequency Max (GHz) ::
0.4
Manufacturer ::
Ampleon USA Inc.
Introduzione
L'ART2K0FEGJ,di Ampleon USA Inc.,è un amplificatore RF.Quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale,che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattateci tramite la chat online o inviateci un preventivo!
Prodotti correlati
BLA9H0912L-250U
RF Power Discrete Transistors
C4H10P600AY
RF Power Discrete Transistors
BLF8G22LS-160BV,11
RF Power Discrete Transistors
BLP10H660PGY
RF Power Discrete Transistors
BLS7G2730LS-200PU
RF Power Discrete Transistors
BLP05H6700XRY
RF Power Discrete Transistors
BLS9G2731LS-400U
RF Power Discrete Transistors
BLC10G22XS-400AVTZ
RF Power Discrete Transistors
BLF6G22LS-100.112
RF Power Discrete Transistors
BLC9G27XS-380AVTZ
RF Power Discrete Transistors
| Immagine | parte # | Descrizione | |
|---|---|---|---|
|
|
BLA9H0912L-250U |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
C4H10P600AY |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLF8G22LS-160BV,11 |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLP10H660PGY |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLS7G2730LS-200PU |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLP05H6700XRY |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLS9G2731LS-400U |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLC10G22XS-400AVTZ |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLF6G22LS-100.112 |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLC9G27XS-380AVTZ |
RF Power Discrete Transistors
|
Invii il RFQ
Di riserva:
MOQ: