MMRF1312HR5
fabbricante:
NXP USA Inc.
Descrizione:
RF Power Discrete Transistors
Categoria:
Semiconduttori elettronici
Specifiche
Product Category ::
RF Amplifier
Gain (dB) ::
17.3
Output Power (W) ::
1000
Frequency Min (GHz) ::
0.9
Process ::
LDMOS
Frequency Max (GHz) ::
1.215
Manufacturer ::
NXP USA Inc.
Introduzione
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