A5G26H110NT4

fabbricante:
NXP USA Inc.
Descrizione:
RF Power Discrete Transistors
Categoria:
Semiconduttori elettronici
Specifiche
Product Category ::
RF Amplifier
Gain (dB) ::
16
Potenza media (W)::
15
Frequency Min (GHz) ::
2.496
Processo::
Gan.
Frequency Max (GHz) ::
2.69
Manufacturer ::
NXP USA Inc.
Introduzione
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