HMC590LP5E è un amplificatore di potenza GaAs pHEMT MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit) ad alte prestazioni progettato da Analog Devices

IlHMC590LP5Eè un dispositivo ad alte prestazioniAmplificatore di potenza GaAs pHEMT MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit)progettato da Analog Devices per applicazioni nell'intervallo di frequenza dida 6 GHz a 9,5 GHzDi seguito è riportato un riassunto completo delle sue caratteristiche principali:

Specificità principali:

1. Intervallo di frequenza:da 6 GHz a 9,5 GHz.
2. Potenza di uscita:
   • P1dB (1 dB di punto di compressione):+29 dBm.
   • Potenza di uscita satura (Psat):+31 dBm (1 watt).
3. Guadagno:21 dB (tipico).
4. Efficienza aggiunta di potenza (PAE):23% alla potenza massima.
5. Voltaggio di alimentazione di scarico (Vdd):+7V (tipico).
6. corrente di alimentazione:820 mA a 7V.
7. Perdita di ritorno dell' input:15 dB (tipico).
8. Intercettazione di uscita di terzo ordine (OIP3):+42 dBm (tipico).
9. Tipo di imballaggio:QFN a 32 piombo (5 mm x 5 mm) per applicazioni di montaggio in superficie.
10. Intervallo di temperatura di funzionamento:-55°C a +85°C.

Caratteristiche:

• Corrispondenza di I/O integrata a 50Ω:Semplifica la progettazione del sistema eliminando i componenti di abbinamento esterni.
• Alta linearità:Garantisce prestazioni affidabili in applicazioni che richiedono una bassa distorsione.
• Progettazione robusta:Resiste a ±200V ESD (HBM) e supporta un'elevata dissipazione termica.

Applicazioni:

• Radio a microonde e collegamenti punto-punto:Migliora la comunicazione a lungo raggio con alta potenza di uscita e basso rumore.
• Sistemi militari e aerospaziali:Adatto per radar e sistemi di comunicazione sicuri.
• Strumentazione:Utilizzato nelle apparecchiature di prova RF che richiedono precisione e potenza.

Vantaggi:

• Disegno compatto:Ideale per circuiti RF con spazio limitato.
• Performance efficiente:Offre un elevato guadagno e potenza di uscita con un'eccellente gestione termica.